TDICCD的原理、特点及如何在时序电路驱动TDICCD8091设计

电子设计 2018-10-12 09:55 次阅读

引言

时间延时积分电荷耦合器件(Time Delay and Integra-tion Charge Coupled Devices,TDICCD)易于实现实时成像,可与小相对孔径的光学系统配合成像,从而大幅度减少遥感相机的体积和质量,因此广泛应用在航空航天、火控系统和远海探测等领域。现场可编程逻辑门阵列(FPGA)在航空航天、工业自动化、仪表仪器、计算机设计与应用、通信、国防等领域的电子系统中的技术含量正以惊人的速度提升。完整的电子系统在单一FPGA芯片中实现早已成为现实,电子类新技术项目的开发也更多地依赖于FPGA技术的应用。

TDICCD是一种时间延迟积分图像传感器件,精准可靠的时序逻辑信号是TDICCD工作的最基本条件,是保障整个系统有效工作的关键,阐述了以FPGA为开发平台设计TDICCD8091驱动时序的全过程。

1 TDICCD的特点及工作原理

1.1 TDICCD的特点

TDICCD 是一种具有面阵结构,线阵输出的CCD,它的列数是一行的像元数,它的行数是TDICCD的级数N,较普通的线阵CCD 而言,它具有多重级数延时积分的功能。TDICCD 器件利用物体的运动速度与行转移速度同步方式,对物体进行多次(N级)曝光,并对其信号进行累加,随着TDI级数增加,信号随TDI级数(N) 成线性增加,而噪声随TDI级数成平方根增加,TDICCD的信噪比(SNR)增加N 倍,从而获得高的灵敏度和信噪比。利用曝光时间与使用的TDI级数成比例的关系,在不改变帧频的情况下,通过选择TDI级数,改变器件的曝光次数,使器件实现在不同照度下对目标正常成像。

1.2 TDICCD的工作原理

TDICCD相机工作原理如图1所示。相机摄像时随卫星向前移动,对地面同一静止目标物体多次曝光成像,被拍摄物体为地面上静止的星星。在t1 时刻,星星在第1级(行)TDICCD上曝光成像,产生电荷信号;t2 时刻,由于相机向前运动,经过了一个行周期后,第2 级TDICCD 再次对同一个星星曝光成像,产生电荷信号。

与此同时,时钟信号驱动第1级TDICCD 上产生的电荷转移到第2 级TDICCD 上。这样,该行TDICCD 不仅包括此次曝光产生的电荷,而且也包括前一级转移来的电荷,使电荷量增加了1 倍。依此类推,若TDICCD 的级数为N,相机输出信号将增加为原来的N 倍。图1中设定TDI 的级数为4 级,因此在t4 时刻,在TDI 的第4 级(行)星星曝光产生的电荷量为原来的4倍。

TDICCD的原理、特点及如何在时序电路驱动TDICCD8091设计

2 设计目标分析

2.1 TDICCD8091简介

TDICCD8091是美国仙童公司的一款9 216×128的高速光电传感器,每行的像素点数目高达9 216 个,像元大小为8.75 μm × 8.75 μm ,TDI积分级数为4,8,16,32,64,96,128 可选,行转移速率为12 kHz.电荷读出有向上和向下两个方向可选,每个方向有6 个输出端口,每个端口读出速率为20 MHz,总速率为120 MHz,读出像元电荷数目1 536 个。每个输出端口有寄存器放大器用来缓存和放大信号。TDICCD8091 内部结构包含有:光积分区域(垂直移位寄存器)、21行独立区域(垂直移位寄存器)和水平移位读出区域(水平移位寄存器),其中,21行独立区域靠近水平读出的3行为快速转移区域,剩下的18行为慢速转移区域,21行均被遮光材料遮挡。

TDICCD8091的外形图如图2所示。

TDICCD的原理、特点及如何在时序电路驱动TDICCD8091设计

2.2 TDICCD8091的时序要求分析

TDICCD8091积分级数的选择由输入端口VSW128-D(U)、VSW64-D(U)、VSW32-D(U)、VSW16-D(U)、VSW8-D(U)、VSW4-D(U)配合模拟开关控制实现。具体接法:例如当选择向上32级积分时,VSW4-U、VSW8-U、VSW16-U接信号V3,VSW32-U接-3 V电压,VSW64-U、VSW128-U 接+15 V 电压,同时33~128 级的行转移端口接+15 V电压,水平移位读出端口接+3 V电压,1~32级的行转移端口接信号V1、V2、V3,水平移位读出端口接H1、H2、H3、H4.

TDICCD8091正常工作所需要的时序信号如图3所示。其中,V1、V2、V3为12 kHz占空比为50%的三相时钟信号,时钟高电平+15 V、低电平0 V,控制光积分区域和21 行独立区域后18 行信号电荷的垂直移位;VHS1、VHS2、VHS3 为12 kHz占空比小于5%的移位时钟信号,时钟高电平+15 V、低电平0 V,控制前3行独立区域信号电荷的垂直移位;H1、H2、H3、H4 为20 MHz占空比50%的四相时钟信号,时钟高电平0 V、低电平-5 V,控制每个端口1 536个像元电荷的水平移位读出,同时,H1信号还控制像元电荷由垂直转移向水平转移的过度,此时高电平为+5 V;FOG为读出时钟信号,时钟高电平+1 V、低电平-5 V;RG是复位脉冲信号,时钟高电平+15 V、低电平+4 V,作用为在每个像元电荷读出前,清除前一个像元残余电荷,信号频率20 MHz.这些时钟的高低电平电压值在硬件电路通过芯片EL7212驱动实现。

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3 时序逻辑设计及仿真结果

3.1 时序程序设计

整个时序程序信号总流程图如图4所示。程序总共由7个模块组成:输入同步时钟模块产生频率20 MHz的主时钟CLK,CLK 通过分频模块产生频率36 kHz 的CLK1 和频率5 MHz 的CLK2;信号控制模块在主时钟CLK 的同步作用下分别产生控制信号VClr、VSHClr 和HClr;输入处理模块对输入主时钟CLK做去抖动处理后输出时钟信号CLK0;V 信号产生模块输出光积分区域行转移所需的12 kHz 占空比为50%的三相时钟信号V1、V2、V3;VHS信号产生模块输出12 kHz占空比小于5%的移位时钟信号VHS1、VHS2、VHS3;H信号产生模块输出水平移位读出区域所需的20 MHz占空比50%的四相时钟信号H1、H2、H3、H4,以及FOG读出时钟信号和RG复位脉冲信号。

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3.2 时序仿真结果

时序设计采用Altera公司的Quartus Ⅱ作为开发平台,EP3C25Q240为硬件平台。总的时序仿真结果如图5所示,结果表明所有仿真信号满足2.2节中的信号要求;图6为FPGA上测得V1、V2的相位关系,图7为FPGA上测得H1、H2相位关系,结果表明相位关系正确,能够保证每个时刻至少有一个高电平和一个低电平,保证像元电荷的正常读出。

TDICCD的原理、特点及如何在时序电路驱动TDICCD8091设计

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4 结语

时序在硬件电路中成功驱动了TDICCD8091工作,验证了软硬件的正确性和准确性。程序设计利用同步时钟控制全局电路的思想,避免竞争与冒险,提高了程序的可靠性;采用模块化设计思想提高程序的可重用性、可测试性、可读性及可维护性;状态机的设计方法提高了程序运行的稳定性。

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HDC2080器件是一款集成的湿度和温度传感器,可在小型DFN封装中以极低的功耗提供高精度测量。电容式传感器包括新的集成数字功能和加热元件,以消散冷凝和水分。 HDC2080数字功能包括可编程中断阈值,可提供警报和系统唤醒,无需微控制器连续监控系统。与可编程采样间隔,低功耗和1.8V电源电压相结合,HDC2080是专为电池供电系统而设计。 HDC2080为各种环境监测和物联网(IoT)应用提供高精度测量功能,如智能恒温器和智能家居助手。对于印刷电路板(PCB)区域至关重要的设计,可通过HDC2010获得较小的CSP封装选项,并与HDC2080完全兼容。 对于具有严格功率预算限制的应用,自动测量模式使HDC2080能够自动启动温度和湿度测量。此功能允许用户将微控制器配置为深度睡眠模式,因为HDC2080不再依赖于微控制器来启动测量。 HDC2080中的可编程温度和湿度阈值允许器件发送硬件中断以在必要时唤醒微控制器。此外,HDC2080的功耗显着降低,有助于最大限度地减少自热并提高测量精度。 HDC2080出厂校准温度精度为0.2°C,相对湿度精度为2%。 特性 ...

发表于 09-21 17:29 34次 阅读
HDC2080 HDC2080 低功耗湿度和温度数字传感器

HDC2010 低功耗湿度和温度数字传感器

HDC2010是一款采用超紧凑WLCSP(晶圆级芯片级封装)的集成式湿度和温度传感器,能够以超低功耗提供高精度测量.HDC2010的传感元件位于器件底部,有助于HDC2010免受粉尘,灰尘以及其他环境污染物的影响,从而更加稳定可靠。电容式传感器包括新的集成数字特性和用于消散冷凝和湿气的加热元件.HDC2010数字特性包括可编程中断阈值,可提供警报/系统唤醒,而无需微控制器持续监控系统。同时,HDC2010具有可编程采样间隔,固有功耗较低,并且支持1.8V电源电压,非常适合电池供电系统。 HDC2010为各种环境监测应用和物联网(IoT)(如智能恒温器,智能家居助理和可穿戴设备)提供高精度测量功能.HDC2010还可用于为冷链运输和易腐货物的储存提供临界温度和湿度数据,以帮助确保食品和药物等产品新鲜送达。 ħ DC2010经过工厂校准,温度精度为0.2°C,相对湿度精度为2%,并配备了加热元件,可消除冷凝和湿气,从而增加可靠性.HDC2010支持的工作温度范围为-40°C至125 °C,相对湿度范围为0%至100%。 特性 相对湿度范围为0%至100% 湿度精...

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HDC2010 低功耗湿度和温度数字传感器

DRV5012 超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器

DRV5012器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。™ 当南磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出B RP 阈值, B OP 和B RP 以提供可靠切换。 p> 通过使用内部振荡器,DRV5012器件对磁场进行采样,并根据SEL引脚以20Hz或2.5kHz的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。 此器件通过1.65V至5.5V的V CC 工作,并采用小型X2SON封装。 特性 行业领先的低功耗特性 可通过引脚选择的采样率: SEL =低电平:使用1.3μA(1.8V)时为20Hz SEL =高电平:使用142μA(1.8V)时为2.5kHz V CC 工作电压范围为1.65V至5.5V 高磁性灵敏度:±2mT(典型值) 可靠磁滞: 4mT(典型值) 推挽式CMOS输出 小型纤薄X2SON封装 运行温度范围:-40°C...

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DRV5012 超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器

DRV5056-Q1 汽车类高精度 3.3V 或 5V 比例式单极霍尔效应传感器系列

DRV5056-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛。 此模拟输出配备特色的单极磁响应,无磁场时可驱动0.6V的电压,存在南磁极时电压会升高。对于感应一个磁极的应用,此响应可以最大限度提高输出动态范围.4种灵敏度选项可以基于所需的感应范围进一步最大限度提高输出摆幅。 该器件由3.3V或5V电源供电。它可感测到到直管封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的感应方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 进行此时,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移,在广泛的-40°C至+ 150° C温度范围内实现线性特性。 特性 单极线性霍尔效应磁传感器 由3.3V和5V电源供电 模拟输出,提供0.6V静态失调电压: 最大限度提高电压摆幅以实现高精度 磁性灵敏度选项(V CC = 5V时): A1:200mV /mT,±20mT范围 A2:100mV...

发表于 09-21 17:11 37次 阅读
DRV5056-Q1 汽车类高精度 3.3V 或 5V 比例式单极霍尔效应传感器系列

DRV5055-Q1 汽车类高精度 3.3V 或 5V 比例式双极霍尔效应传感器系列

DRV5055-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时,模拟输出可驱动1/2 V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体温漂,在广泛的-40°C至+ 150°C温度范围内实现线性特性。 特性 比例式线性霍尔效应磁传感器 由 3.3V 和 5V 电源供电 模拟输出,提供 VCC/2 静态失调电压 磁性灵敏度选项(VCC = 5V 时): A1:100mV/mT,±21mT 范围 A2:50mV/mT,±42mT 范围 A3:25mV/mT,±85mT 范围 ...

发表于 09-21 17:01 20次 阅读
DRV5055-Q1 汽车类高精度 3.3V 或 5V 比例式双极霍尔效应传感器系列

DRV5055 高精度 3.3V 或 5V 比例式双极霍尔效应传感器系列

DRV5055器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛低功耗是一个关键问题。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时,模拟输出可驱动1 /2V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。 它可检测垂直于封装顶部的磁通量,而且两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除V CC 容差产生的误差。此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移,在较宽的-40°C至125°C温度范围内实现线性性能。 特性 所有商标均为其各自所有者的财产。 比例式线性霍尔效应磁传感器 由3.3V和5V电源供电 模拟输出,提供V CC /2静态失调电压 磁性灵敏度选项(V CC = 5V时): A1 :100mV /mT,±21mT范围 A2:...

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DRV5055 高精度 3.3V 或 5V 比例式双极霍尔效应传感器系列

HDC1080 HDC1080 具有温度传感器的低功耗、高精度数字湿度传感器

HDC1080是一款具有集成温度传感器的数字湿度传感器,其能够以超低功耗提供出色的测量精度.HDC1080支持较宽的工作电源电压范围,并且相比竞争解决方案,该器件可供各类常见应用提供低成本和低功耗优势。湿度和温度传感器均经过出厂校准。 特性 相对湿度精度为±2%(典型值) 温度精度为±0.2°C(典型值) 高湿度下具有出色的稳定性 14位测量分辨率 睡眠模式的电流为100nA 平均电源电流: 1sps,11位相对湿度(RH)测量时为710nA 1sps,11位RH与温度测量时为为1.3μA 电源电压范围:2.7V至5.5V 3mm x 3mm小型器件封装 I 2 C接口 应用 制热,通风与空调控制(HVAC) 智能温度调节装置和室温监视器 大型家用电器 打印机 手持式计量表 医疗设备 无线传感器(TIDA:00374,00484,00524) ...

发表于 09-21 16:46 6次 阅读
HDC1080 HDC1080 具有温度传感器的低功耗、高精度数字湿度传感器

DRV5032 超低功耗 1.65V 至 5.5V 霍尔效应开关传感器

DRV5032器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器,专为最紧凑型系统和电池电量敏感型系统而设计。器件可提供多种磁性阈值,采样率,输出驱动器和封装以适配各种应用。™ 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时,器件会输出低电压。输出会保持低电压,直到磁通量密度低于乙 RP ,随后输出将驱动高电压或变成高阻抗,具体取决于器件版本。通过集成内部振荡器,该器件可对磁场进行采样,并以20Hz或5Hz的速率更新输出,以实现最低电流消耗。 此器件可在1.65V至5.5V的V CC 范围内工作,并采用标准SOT-23和小型X2SON封装。 特性 行业领先的超低功耗 5Hz版本:0.54μA,1.8V 20Hz版本:1.6μA,3V V CC 工作电压范围为1.65V至5.5V 磁性阈值选项(最大B OP ): 3.9 mT,最高灵敏度 4.8mT,高灵敏度 9.5 mT,中等灵敏度 63mT,最低灵敏度 ...

发表于 09-21 16:40 11次 阅读
DRV5032 超低功耗 1.65V 至 5.5V 霍尔效应开关传感器

LMT90 LMT90 - SOT-23 单电源摄氏温度传感器

LMT90是一款精准的集成电路温度传感器,此传感器能够使用一个单一正电源来感测-40°C至+ 125°C的温度范围.LMT90的输出电压与摄氏(摄氏温度)温度(+ 10mV /°C)成线性正比,并且具有一个+ 500mV的DC偏移电压。此偏移在无需负电源的情况下即可读取负温度值。对于-40°C至+ 125°C的温度范围,LMT90的理想输出电压范围介于+ 100mV至+ 1.75V之间.LMT90在无需任何外部校准或修整的情况下即可在室温下提供±3°C的精度,并在整个-40°C至+ 125°C温度范围内提供±4°C精度.LMT90的晶圆级修整和校准确保了低成本和高精度.LMT90的线性输出,+ 500mV偏移和出厂校准简化了要求读取负温度的单电源环境中所需要的电路.LMT90的静态电流少于130μA,因此在空气不流动环境中自发热被限制在极低的0.2 °C水平上。 LMT90是一款具有 所有商标均为其各自所有者的财产。 应用范围 工业领域 制热,通风与空调控制(HVAC) 磁盘驱动器 汽车用 便携式医疗仪器 ...

发表于 09-19 16:44 0次 阅读
LMT90 LMT90 - SOT-23 单电源摄氏温度传感器

LMT86-Q1 具有 AB 类输出的 LMT86-Q1 - 1.5V、SC70、多增益模拟温度传感器

LMT86-Q1是精密CMOS温度传感器,典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C),线性记录输出电压与温度。 2.2V电源电压工作,5.4μA静态电流和0.7ms上电时间,有效的功率循环架构可最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT86-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内保持±2.7°C的最大精度,无需校准;这使得LMT86-Q1适用于信息娱乐,集群和动力系统等汽车应用。 LMT86-Q1在宽工作范围内的精度和其他特性使其成为热敏电阻的绝佳替代品。 对于具有不同平均传感器增益和相当精度的器件,请参考可比替代器件 LMT8x系列中的替代器件。 特性 LMT86-Q1符合AEC-Q100标准,适用于汽车应用: 器件温度等级0:-40°C至+ 150°C 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESDClassification Level C6 非常精确:±0.4°C典型 2.2 V低工作 平均传感器增益-10.9 mV /°C ...

发表于 09-19 16:40 0次 阅读
LMT86-Q1 具有 AB 类输出的 LMT86-Q1 - 1.5V、SC70、多增益模拟温度传感器

TMP411 ±1°C Programmable Remote/Local Digital Out Temperature Sensor

TMP411设备是一个带有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器,二极管连接的晶体管通常是低成本,NPN或PNP型晶体管或二极管,是微控制器,微处理器或FPGA的组成部分。 远程精度为±1 °C适用于多个设备制造商,无需校准。双线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令,以设置报警阈值和读取温度数据。 TMP411器件中包含的功能包括:串联电阻取消,可编程非理想因子,可编程分辨率,可编程阈值限制,用户定义的偏移寄存器,用于最大精度,最小和最大温度监视器,宽远程温度测量范围(高达150°C),二极管故障检测和温度警报功能。 TMP411器件采用VSSOP-8和SOIC-8封装。 特性 ±1°C远程二极管传感器 ±1°C本地温度传感器 可编程非理想因素 串联电阻取消 警报功能 系统校准的偏移寄存器 与ADT7461和ADM1032兼容的引脚和寄存器 可编程分辨率:9至12位 可编程阈值限...

发表于 09-19 16:35 4次 阅读
TMP411 ±1°C Programmable Remote/Local Digital Out Temperature Sensor

LMT85 具有 AB 类输出的 LMT85 - 1.5V、SC70、多增益模拟温度传感器

LMT85是一款高精度CMOS温度传感器,其典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.8V工作电源电压,5.4μA静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT85LPG穿孔TO-92S封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型应用,例如烟雾和热量探测器。得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT85成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件了解LMT8x系列中的替代器件。 特性 LMT85LPG(TO-92S封装)具有快速热时间常量,典型值为10s(气流速度为1.2m /s) 非常精确:典型值±0.4°C 1.8V低压运行 -8.2mV /°C的平均传感器增益 5.4μA低静态电流 宽温度范围:-50°C至150°C 输出受到短路保护 具有±50μA驱动能力的推挽输出< /li> 封装尺寸兼容...

发表于 09-19 16:34 0次 阅读
LMT85 具有 AB 类输出的 LMT85 - 1.5V、SC70、多增益模拟温度传感器

LMT70A LMT70A 具有输出使能的精密温度传感器

LMT70是一款带有输出使能引脚的超小型,高精度,低功耗互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟温度传感器LMT70几乎适用于所有高精度,低功耗的经济高效型温度感测应用,例如物联网(IoT)传感器节点,医疗温度计,高精度仪器仪表和电池供电设备.LMT70也是RTD和高精度NTC /PTC热敏电阻的理想替代产品。 多个LMT70可利用输出使能引脚来共用一个模数转换器(ADC)通道,从而简化ADC校准过程并降低精密温度感测系统的LMT70还具有一个线性低阻抗输出,支持与现成的微控制器(MCU)/ADC无缝连接.LMT70的热耗散低于36μW,这种超低自发热特性支持其在宽温度范围内保持高精度。 LMT70A具有出色的温度匹配性能,同一卷带中取出的相邻两个LMT70A的温度最多相差0.1°C。因此,对于需要计算热量传递的能量计量用而言,LMT70A是一套理想的解决方案。 特性 精度: 20°C至42°C范围内为±0.05°C(典型值)或±0.13 °C(最大值) -20°C至90°C范围内为±0...

发表于 09-19 16:32 21次 阅读
LMT70A LMT70A 具有输出使能的精密温度传感器

TMP75B-Q1 TMP75B-Q1 汽车级 1.8V 数字温度传感器

TMP75B-Q1是一款集成数字温度传感器,此传感器具有一个可由1.8V电源供电运行的12位模数转换器(ADC),并且与行业标准LM75和TMP75引脚和寄存器兼容。此器件采用SOIC-8和VSSOP-8两种封装,不需要外部元件便可测温.TMP75B-Q1能够以0.0625°C的分辨率读取温度,额定工作温度范围为-40°C至125°C。 TMP75B-Q1特有系统管理总线(SMBus)和两线制接口兼容性,并且可在同一总线上,借助SMBus过热报警功能支持多达8个器件。利用可编程温度限值和ALERT引脚,传感器既可作为一个独立恒温器运行,也作为一个针对节能或系统关断的过热警报器运行。 < p>厂家校准的温度精度和抗扰数字接口使得TMP75B-Q1成为其他传感器和电子元器件温度补偿的首选解决方案,而且无需针对分布式温度感测进行额外的系统级校准或复杂的电路板局布线。 TMP75B-Q1非常适用于各类汽车应用中的热管理和保护,而且是PCB板装NTC热敏电阻的高性能替代元件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: ...

发表于 09-19 16:29 14次 阅读
TMP75B-Q1 TMP75B-Q1 汽车级 1.8V 数字温度传感器

LM98714 具有集成 CCD/CIS 传感器定时发送器和 LVDS 输出的 3 通道 16 位 45 MSPS 数字复印机 AFE

LM98714是一款完全集成的高性能16位,45 MSPS信号处理解决方案,适用于数码彩色复印机,扫描仪和其他图像处理应用。采用相关双采样(CDS)的创新架构实现了高速信号吞吐量,CDS通常用于CCD阵列,或采样和保持(S /H)输入(用于接触式图像传感器和CMOS图像传感器)。信号路径采用8位可编程增益放大器(PGA),±9位偏移校正DAC和每个输入独立控制的数字黑电平校正环路。 PGA和偏移DAC独立编程,为三个输入中的每一个提供唯一的增益和偏移值。然后将信号路由至45 MHz高性能模数转换器(ADC)。全差分处理通道具有出色的抗噪能力,具有-74dB的极低本底噪声。 16位ADC具有出色的动态性能,使LM98714在图像复制链中透明。 特性 LVDS /CMOS输出 LVDS /CMOS像素速率输入时钟或ADC输入时钟 用于CCD或CIS传感器的CDS或S /H处理 每个通道的独立增益/偏移校正 每个通道的数字黑电平校正环 可编程输入钳位电压 灵活的CCD /CIS传感器定时发生器 ...

发表于 09-19 16:24 5次 阅读
LM98714 具有集成 CCD/CIS 传感器定时发送器和 LVDS 输出的 3 通道 16 位 45 MSPS 数字复印机 AFE

LM20 ±1.5°C 模拟输出温度传感器

LM20是一款精密模拟输出CMOS集成电路温度传感器,工作温度范围为-55°C至130°C。电源工作范围为2.4 V至5.5 V.LM20的传递函数主要是线性的,但具有轻微可预测的抛物线曲率。当指定为抛物线传递函数时,LM20的精度在环境温度为30°C时为±1.5°C。温度误差线性增加,在极端温度范围内达到最大±2.5°C。温度范围受电源电压的影响。在2.7 V至5.5 V的电源电压下,极端温度范围为130°C和-55°C。将电源电压降至2.4 V会将负极性值更改为-30°C,而正极值则保持在130°C。 LM20静态电流小于10μA。因此,静止空气中的自加热低于0.02℃。 LM20的关断功能是固有的,因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电,或者不需要关闭。 特性 额定-55°C至130°C范围 SC70和DSBGA封装可用 < li>可预测的曲率误差 适用于远程应用 30°C±1.5至±4°C(最大)时的精度 130°C时的精度和-55°C±2.5至±5°C(最大值...

发表于 09-19 16:23 28次 阅读
LM20 ±1.5°C 模拟输出温度传感器

LMT89 LMT89 - 2.4V、10µA、SC70、DSBGA 温度传感器

LMT89器件是一款高精度模拟输出CMOS集成电路温度传感器,工作温度范围为-55°C至130°C。其工作电源范围当前指定LMT89器件的传递函数为抛物线传递函数时,其在30°C的环境温度下的精度通常为±1.5°C。温度误差线性增加,并且在极端温度范围时达到一个±2.5°C的最大值。此温度范围受电源电压的影响。当电源电压范围为2.7V至5.5V时,温度范围的上下限分别130°C和-55°C。当电源电压降至2.4V时,下限值将变为-30°C,而上限值将保持在130°C。 工业 制热,通风与空调控制(HVAC) 汽车 磁盘驱动器 便携式医疗仪器 计算机 电池管理 打印机 电源模块 传真机 移动电话< /li> 汽车 所有商标均为其各自所有者的财产。所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 模拟温度传感器   Local Sensor Accuracy (Max) (+/- C) ...

发表于 09-19 16:22 0次 阅读
LMT89 LMT89 - 2.4V、10µA、SC70、DSBGA 温度传感器

LMT84-Q1 具有 AB 类输出的 LMT84-Q1 - 1.5V、SC70、多增益模拟温度传感器

LMT84-Q1是一款精密CMOS温度传感器,其典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.5V工作电源电压,5.4μA静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT84-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内可保持±2.7°C的最大精度,且无需校准;因此LMT84-Q1适用于汽车应用,例如信息娱乐系统,仪表组和动力传动系统。得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT84-Q1成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件 特性 LMT84-Q1符合AEC-Q100标准且适用于汽车应用: 器件温度等级0:-40°C至+ 150°C 器件人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件CDM ESD分类等级C6 非常精确:典型值±0.4°C 1.5V低压运行 -5...

发表于 09-19 16:20 2次 阅读
LMT84-Q1 具有 AB 类输出的 LMT84-Q1 - 1.5V、SC70、多增益模拟温度传感器

LM50 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM50和LM50-Q1器件是精密集成电路温度传感器,使用单个正极可检测-40°C至125°C的温度范围供应。器件的输出电压与温度成线性比例(10 mV /°C),直流偏移为500 mV。偏移允许在不需要负电源的情况下读取负温度。 LM50或LM50-Q1的理想输出电压范围为100 mV至1.75 V,温度范围为-40°C至125°C范围。 LM50和LM50-Q1无需任何外部校准或微调即可在室温下提供±3°C的精度,在-40°C至125°C的整个温度范围内提供±4°C的精度。在晶圆级修整和校准LM50和LM50-Q1可确保低成本和高精度。 LM50和LM50-Q1的线性输出,500 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取负温度的单一电源环境中的电路要求。由于LM50和LM50-Q1的静态电流小于130μA,静止空气中的自热限制在0.2°C以下。 特性 LM50-Q1符合AEC-Q100 1级标准,采用汽车级流程制造 直接校准摄氏(摄氏) 线性+ 10 mV /°C比例因子 ±2°C 25°C时指定的准确度 指定为-40°至小于130&mu...

发表于 09-19 16:17 10次 阅读
LM50 ±2°C 模拟输出温度传感器